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三星电子在半导体领域的成功秘诀是开发出让其他企业无法赶超和模仿的产品。“三星电子实施的Only Samsung Project(三星专属计划)是三星实现利润的核心。” 2012年,三星电子凭借在半导体存储领域的强大竞争力,成为IT制造业中第一个实现100亿美元年利润的企业。

 

三星IC概况

 

总裁:权五铉

员工人数:

韩国:33,500人,海外:39,900人

建立时间:1974年12月6日

部门:内存,系统LSI,储存设备

产品:

内存DDR3/DDR2/DDR SDRAM,Mobile SDRAM,XDR DRAM,RDRAM,显卡显存, UtRAM,consumer DRAM,高速SRAM,NAND Flash,闪存,Flash SSD,NOR Flash, MMC,MCP,moviNAND,OneNAND,OneDRAM,Flex-OneNAND。系统LSI显示驱动IC,移动应用处理器,移动电视芯片组,智能IC卡,Flash控制器,CMOS图像传感 器,ASIC,代工。储存设备1.8-英寸硬盘,2.5-英寸硬盘,3.5-英寸硬盘,移动硬盘。生产设备:15条半导体生产线,10条测试及组装生产线,5条R&D是生产线,2套硬盘生产设备。

 

三星IC领先的产品和技术

 

利用30nm级工艺技术生产的DRAM:

 

2010年2月,三星电子成为世界上第一家可商业化生产30nm级DRAM器件的厂家。在DDR3批量生产过程中采用30nm-级工艺技术,与采用40nm-级工艺技术生产DDR3相比,生产效率提高了60%。作为先进工艺技术的先驱者,三星将在及时导入先进技术方面持续领先,并将其作为提高成本效益的重要手段。三星的30nm级技术将使三星电子以效率更高的方式,将产品转型到下一代高密度、2Gb DDR3内存。三星计划继续在所有竞争对手前,为市场提供成本效益高、先进的内存技术。

 

OneDRAM,一种融合式内存解决方案:

 

在2004年,三星首先推出了其具有广泛用途的OneNAND,这是NOR闪存与NAND闪存的一种独特融合产物。目前,三星公司可以提供OneDRAM,一种可以提高处理器间数据传输速度,降低功耗的新概念移动DRAM/SRAM。2008年9月,三星推出了多媒体手机专用512Mb OneDRAM,并开始为世界主要手机制造商提供其制造的1Gb OneDRAM样品。

 

NAND 闪存:

 

从2002年开始,三星就成为世界上领先的NAND闪存制造商。三星的NAND闪存已经成为诸如数码相机,手持设备,MP3播放器以及U盘等众多广受欢迎、且密切相关的新产品中必不可少的关键部件。2010年4月,三星在业界率先开始了用于安全数码存储卡(SD卡)及嵌入式内存解决方案的20nm–级NAND芯片的大规模生产,10月,三星又利用20nm-级工艺技术生产出了世界第一颗3-bit/cell,64Gb NAND Flash闪存。

 

DDI(显示驱动IC):

 

三星在DDI销售及技术开发方面,继续保持行业领先地位。三星首创的“智能”DDI可以监控周围照明强度,并自动调节手机显示屏的显示亮度,以获得最优显示效果。当在室内使用该显示屏时,其功耗至少可降低30%。三星还推出了业内第一款加载了触摸屏控制功能的移动DDI,同时,不久前开发成功的DDI新封装显著地提升了高性能TV应用中器件的散热性能。

 

1GB S-SIM卡:

 

这款下一代存储卡解决方案在智能卡芯片封装中采用了NAND闪存。SIM卡功能得到了升级,并增加了储存多媒体数据的功能。

 

固态硬盘:

 

这款新概念数据储存设备利用闪存代替了普通硬盘,使NAND闪存的应用领域超越了小型移动及数字消费电子应用的范畴,扩展到服务器市场。这款硬盘产品可以改善在其中使用的任何系统的稳定性和性能。2008年11月,三星又开始了基于多层式储存单元(MLC)闪存的、2.5-英寸及1.8-英寸规格的用于台式机及笔记本电脑以及其他应用领域的SATA II 256GB固态硬盘(SSD)的量产。2010年6月,三星又推出了512GB SSD,成为业内第一款应用高性能toggle-mode DDR NAND的固态硬盘。

 

移动硬盘:

 

三星的S系列移动硬盘驱动器具有1.8-英寸及2.5-英寸两种规格。通过在普通硬盘驱动器中加载一个USB控制器,三星的S系列具有比同类竞争移动硬盘驱动器产品更小的外型尺寸。其采用的USB on-board技术可以进一步降低产品重量,和硬盘功耗。另外,其内置的节能“智能”程序可以监控各个驱动器的使用情况,在任何时候,只要硬盘在10分钟内未使用,系统可以自动将硬盘置于低功耗的“休眠模式”。S系列硬盘外型光泽圆润,颜色品种齐全,共有六种颜色可供用户选择。

三星IC常见的电子元件型号 (数据更新于2022年5月16日)
  • K3QF3F30BM-AGCF|三星IC电子元件
    低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
  • M391A1G43EB1-CPB|三星IC电子元件
    模块
  • K9F1G08R0B-JIB0|三星IC电子元件
    存储芯片
  • K4A8G085WC-BCTD|三星IC电子元件
    双倍数据率同步动态随机存储器
  • K4B4G0446B-HYK0|三星IC电子元件
    存储芯片
  • K4S641632H-UC75|三星IC电子元件
    DRAM存储器IC
  • K9WAG08U1M-PIBO|三星IC电子元件
    存储芯片
  • KLM2G1DEHE-B101|三星IC电子元件
    存储芯片
  • K9HAG08U1M-PIBO|三星IC电子元件
    存储芯片
  • K4X51163PI-FGC6|三星IC电子元件
    存储芯片
  • M390S2858DT1-C7A|三星IC电子元件
    存储器IC
  • K6R4016C1D-UI10000|三星IC电子元件
    SRAM存储器IC
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  • OneNAND
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