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三星半导体2013年将在西安建造存储芯片生产厂
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三星宣布投资80亿美元的三星高端存储芯片西安二期工程即将投入使用
三星着眼于更先进的IC封测，现阶段已开发出FOPLP(面板级扇出型封装)技术
三星半导体公司宣布将量产全球首款12Gb LPDDR5 DRAM芯片
三星正考虑斥资100亿美元在德克萨斯州建设一家大型3nm制程芯片制造厂
K4S560832N-LC75
存储芯片
K9K4G08UOM-PIBO
存储芯片
K4H560438J-LCB0
存储芯片
K6R1008V1D-UI10T00
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M386A4K40BB0-CRC
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SRAM存储器IC
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